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日本AMAYA株式會社天谷制作常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備

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更新時間:2025-03-13 10:54:34瀏覽次數(shù):24

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產(chǎn)品簡介

日本AMAYA株式會社天谷制作用于剛性和柔性設(shè)備(如FPD)的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備用于剛性和柔性設(shè)備(如FPD)的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備低溫(150~300°C)處理高質(zhì)量 SiO2 成膜低應(yīng)力、等離子體損傷、小顆粒占地面積小,降低了安裝和維護(hù)成本,無需真空或等離子處理低價特征這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng),與FPD等剛性和柔性器件兼容。配備兩個氣頭,有效成膜寬度為760mm,吸

詳細(xì)介紹

日本AMAYA株式會社天谷制作

用于剛性和柔性設(shè)備(如FPD)的常壓CVD設(shè)備玻璃基板沉積設(shè)備


產(chǎn)品信息

用于剛性和柔性設(shè)備(如FPD)的常壓CVD設(shè)備

玻璃基板沉積設(shè)備

  • 低溫(150~300°C)處理

  • 高質(zhì)量 SiO2 成膜低應(yīng)力
    、等離子體損傷、小顆粒

  • 占地面積小,降低了安裝和維護(hù)成本
    ,無需真空或等離子處理

  • 低價

圖片關(guān)鍵詞

特征

  • 這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng),與FPD等剛性和柔性器件兼容。

  • 配備兩個氣頭,有效成膜寬度為760mm,吸附式加熱階段為吸附式加熱階段,溫度可控性±2%以內(nèi)。

  • 可以在4°C下在5.250代玻璃基板上以100片/小時或更高的速度沉積2nm SiO25薄膜,并且可以保證薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。

性能

均勻的薄膜厚度±10%
支持的玻璃基板尺寸4.5 代
氣體種類SiH4,O 3, PH3, B2H6
薄膜沉積溫度150~300°C

主要規(guī)格

設(shè)備尺寸1300毫米(寬) x 7350毫米(深) x 2000毫米(高)
氣頭配備兩個有效寬度為 760 mm 的氣頭,用于沉積


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