等離子增強化學氣相淀積設備

術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。

產品特點

● 薄膜沉積工藝的低溫化（<450℃）

● 節省能源，降低成本，提高產能

● 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減

● 配備自動舟升降，全數字化軟著陸實現2～4管工藝舟自動取料

● 該設備擁有超長恒溫區（1200mm）、高精度溫度控制等多項技術，整體性能得到很大的提高

● 125mmx125mm與156mmx156mm單晶或多晶方片兼容，適用于200μm、180μm、160μm厚度硅片

● 大容量爐膛，有效口徑φ390mm（適應石英管內徑φ350mm）

● 工業計算機自動控制整個工藝過程，通過觸摸屏操作簡潔直觀

高性能進口元器件組合

采用進口壓控系統、射頻電源、干泵、質量

流量計及進口氣路元器件，確保設備運行的可靠

性和工藝的均勻性。   

成熟工藝、成熟產品

多年專業電子設備研發經驗，鑄就成熟工藝

及成熟產品，且成膜均勻性好，并具有較高的轉

換效率。

設備應用

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增

加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子

摻雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以寫成：

3SiH4 + 4NH3 = Si3N4 + 12H2

技術參數

產能：  

● 125mmx125mm    288片/40min/ 管          

● 156mmx156mm    252片/40min/ 管     

● 單臺4管PECVD的年產量可達到30MW

● 結構型式……………………………………臥式熱壁型

● 工作溫度范圍………………………………150～500℃

● 恒溫區長度及精度………………………±2℃/1200mm

● 折射率…………………………………………2.0～2.2

● 系統極限真空……………………………………優于1Pa

● 工作壓力范圍及精度…±0.3pa/100～300 Pa閉環控制

● 系統漏氣率…………………………………＜1.5Pa/min

● 控制方式…………………………………工業微機控制

淀積Si3N4薄膜均勻性（800A0情況下）：

● W-I-W :    ±3 %

● W-T-W :    ±5 %

● B-T-B :    ±5 %

等離子增強化學氣相淀積設備