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　　自20 世紀70 年代初，人們開始致力于液-質聯用接口技術的研究。在開始的20 年中處于緩慢的發展階段，研制出了許多種聯用接口，但均沒有應用于商業化生產。直到大氣壓離子化(atmospheric-pressure ionization, API)接口技術的問世，液-質聯用才得到迅猛發展，廣泛應用于實驗室內分析和應用領域。

　　液-質聯用接口技術主要是沿著三個分支發展的:

　　(1)流動相進入質譜直接離子化，形成了連續流動快原子轟擊(continuous-flow fast atom bombarment, CFFAB)技術等;

　　(2)流動相霧化后除去溶劑，分析物蒸發后再離子化，形成了"傳送帶式"接口(moving-belt interface)和離子束接口(particle-beam interface)等;

　　(3)流動相霧化后形成的小液滴解溶劑化，氣相離子化或者離子蒸發后再離子化，形成了熱噴霧接口(thermo spray interface)、大氣壓化學離子化(atmospheric pressure chemical ionization, APCI)和電噴霧離子化(electrospray ionization, ESI)技術等。有關液相質譜的接口技術和LC-MS 技術的發展，Niessen 曾經進行了較為詳細的綜述。

　　基體效應

　　1基體效應的來源

　　LC-MS中的基質效應現象初在1993年被發現，當改變樣品基質的種類和濃度時，待測物電噴霧化質譜的響應值降低了。美國FDA2001年出版的《生物分析方法驗證準則》明確提出:在LC-MS分析方法開發和驗證過程中需要對基質效應進行評價。

　　基質效應是指樣品中除了待測物以外的其他基質成分對待測物測定值的影響，它源自色譜分離過程中與被測物共流出的物質對被測物離子化過程的影響，共流出干擾物可分為內源性雜質和外源性雜質。

　　內源性雜質是指樣品提取過程中同時被提取出來的有機或無機分子，當這些物質在共提取液中濃度較高，并與目標化合物共流出色譜柱進入離子源時，將嚴重影響目標化合物的離子化過程。外源性雜質通常易被人們忽視，但也會帶來嚴重的基體效應。這些干擾物由樣品前處理各步驟引入，文獻報道的主要包括的聚合物殘留、酞酸鹽、去污劑降解產物、離子對試劑、有機酸等離子交換促進劑、緩沖鹽或SPE小柱材料及色譜柱固定相釋放的物質等。

　　2 基體效應的補償

　　基體效應的存在會嚴重影響對待測物的定量準確度和精密度，且影響因素多變，很難被*消除。近幾年來，致力于消除和補償基質效應的研究逐漸增多，主要包括優化質譜條件，優化色譜分離體系，多步凈化措施，使用內標物定量，采用基質匹配標準曲線定量，回聲峰技術等。